IPB60R190C6 von Infineon Technologies AG - 600 V CoolMOS Power MOSFET mit 20,2 A und 151 W

IPB60R190C6 von Infineon Technologies AG ist ein N-Channel Power MOSFET aus der 600-V-CoolMOS-Reihe mit bis zu 20,2 A Drainstrom, 600 V Sperrspannung und 151 W Verlustleistung. Für Entwickler in Industrie- und Netzteilanwendungen sind vor allem die Kombination aus 600 V, 0,19 Ohm RDS(on) und SMT-Gehäuse entscheidend.

IPB60R190C6 von Infineon Technologies AG ist ein N-Channel Power MOSFET der 600-V-CoolMOS-C6-Technologie und richtet sich an Entwickler, die hohe Sperrspannungen, robuste Schaltverhalten und kompakte Bauformen für Industrie- und Netzteilanwendungen benötigen. Die Infineon Produktübersicht führt den Baustein mit 600 V Drain-Source-Spannung und 20,2 A maximalem Drainstrom.

Technische Kennwerte des IPB60R190C6

Der IPB60R190C6 ist ein N-Channel MOSFET mit einer maximalen Drain-Source-Spannung von 600 V, was ihn für Hochspannungs-Applikationen wie PFC-Stufen, hart schaltende PWM-Topologien und resonante Netzteile prädestiniert. Die Produktdaten von Infineon nennen 600 V als maximale VDS und eine maximale Gate-Source-Spannung von ±20 V.

Beim Dauerstrom erreicht der Transistor laut Spezifikation bis zu 20,2 A Drainstrom bei 25 °C, während der Pulsstrom mit 59 A angegeben ist. Infineon führt für den Baustein einen maximalen kontinuierlichen Drainstrom von 20,2 A und einen Pulsstrom von 59 A.

Die Verlustleistung ist mit bis zu 151 W spezifiziert, was in Verbindung mit dem D2PAK-Gehäuse und einem typischen Wärmewiderstand RthJC von 0,83 K/W auf den Einsatz auf gekühlten Leiterplatten und Kühlkörpern zielt. Die Kennzahlen Ptot 151 W und RthJC 0,83 K/W sind direkt im technischen Datenblatt hinterlegt.

Gehäuse, Widerstand und Schaltverhalten

Beim Gehäuse setzt Infineon beim IPB60R190C6 auf das SMT-Gehäuse PG-TO263-3 (D2PAK), wodurch der MOSFET für automatisierte Bestückung sowie flache Designs geeignet ist. Die Produktbeschreibung ordnet den Baustein dem PG-TO263-3-Package zu, einem D2PAK für oberflächenmontierte Leistungshalbleiter.

Der maximale Drain-Source-On-Widerstand RDS(on) liegt bei 190 m? bei einer Gate-Spannung von 10 V, was bei 600 V Klasse einen Kompromiss aus Verlustleistung und Robustheit markiert. Im Datenblatt ist ein maximaler On-Widerstand von 190 m? bei VGS=10 V angegeben.

Für das Schaltverhalten ist die Gesamtgateladung QG mit typischen 58 nC bei 10 V Gate-Spannung vermerkt, was die Dimensionierung von Gate-Treibern und Schaltfrequenzen unterstützt. Die technische Übersicht listet eine typische Gate-Ladung von 58 nC.

Thermische Grenzen und Einsatzbereiche

Beim Temperaturbereich ist der IPB60R190C6 für Umgebungstemperaturen von -55 °C bis +150 °C ausgelegt, womit er typische industrielle Temperaturanforderungen abdeckt. Die Angaben zur maximalen Sperrschichttemperatur von 150 °C sind Teil der offiziellen Spezifikation.

Infineon positioniert seine CoolMOS-Bausteine einschließlich des IPB60R190C6 in Anwendungen wie Leistungsfaktorkorrektur, hocheffiziente Schaltnetzteile und Server- sowie Telekom-Stromversorgungen, bei denen hohe Effizienz und robuste Hochvolt-Schaltfähigkeit gefordert sind. Die Beschreibungen der CoolMOS-Reihen nennen explizit PFC-Stufen, Adapter, Server, Telekom und Beleuchtung als typische Einsatzfelder.

Vergleich zu anderen CoolMOS-Varianten

Im Vergleich zu anderen CoolMOS-Bausteinen mit ähnlicher Spannungsfestigkeit unterscheidet sich der IPB60R190C6 vor allem durch seinen Gehäusetyp und den spezifischen On-Widerstand, die zusammen die maximal mögliche Leistung von 151 W bestimmen. Vergleichbare Kennzahlen wie 600 V VDS, 20,2 A Id und 0,19 Ohm RDS(on) finden sich bei Varianten mit anderem Gehäuseaufbau.

Andere CoolMOS-Varianten in TO220- oder TO247-Gehäusen bieten ähnliche Spannungs- und Stromgrenzen, passen aber eher in Designs mit durchkontaktierten Kühlkörpern und größerem Platzbedarf, während der IPB60R190C6 durch sein D2PAK-Gehäuse in flache, SMD-basierte Schaltnetzteile integriert werden kann. Die technischen Daten ähnlicher Bausteine mit TO220-Gehäuse zeigen die gleiche 600-V-Klasse bei anderen mechanischen Parametern.

Einordnung für Entwickler

Für Entwickler, die einen 600-V-MOSFET mit moderatem On-Widerstand von 0,19 Ohm, bis zu 20,2 A Strom und 151 W thermischer Verlustleistung suchen, stellt IPB60R190C6 eine Option dar, die sich gut in kompakten Leiterplattenlayouts mit SMD-Bestückung einfügt. Infineon ordnet seine Leistungs-MOSFETs klar nach Spannungsklassen und Gehäuseformen, sodass Entwickler gezielt zwischen SMD- und THT-Varianten wählen können.

Weil der Baustein als „not for new design“ geführt wird, bietet er sich vor allem für bestehende Plattformen und Wartungsszenarien an, während neu aufzusetzende Schaltungen eher auf aktuelle CoolMOS-Generationen ausweichen sollten, die mit weiter reduzierten Schaltverlusten und optimierten Gehäusen aufwarten. Die Produktstatus-Angabe „not for new design“ markiert den Transistor als Baustein für bestehende Designs.

Technische Kurzübersicht

Der IPB60R190C6 lässt sich technisch prägnant zusammenfassen: 600 V maximale Drain-Source-Spannung, 20,2 A maximaler Dauerstrom, 0,19 Ohm RDS(on) bei 10 V Gate-Spannung, 151 W Verlustleistung und ein D2PAK-Gehäuse für SMD-Bestückung, dazu eine typische Gate-Ladung von 58 nC und ein Temperaturbereich bis 150 °C Sperrschichttemperatur. Eine externe Kennwertübersicht bestätigt die Spannungs-, Strom- und Widerstandsangaben des Bausteins.

Wichtige Fakten zum IPB60R190C6

• Produkt: IPB60R190C6 600 V N-Channel CoolMOS Power MOSFET im D2PAK-Gehäuse
• Hersteller: Infineon Technologies AG, Am Campeon 1-15, 85579 Neubiberg, Deutschland
• Kategorie: Leistungs-MOSFET (N-Channel, 600 V)
• Maximale Drain-Source-Spannung VDS: 600 V
• Maximaler Dauer-Drainstrom ID: 20,2 A bei 25 °C
• Drain-Source-On-Widerstand RDS(on): 0,19 Ohm bei VGS=10 V
• Maximale Verlustleistung Ptot: 151 W
• Gehäuse: PG-TO263-3 (D2PAK), oberflächenmontierbar
• Gate-Source-Spannung VGS(th): 2,5-3,5 V
• Typische Gate-Ladung QG: 58 nC bei 10 V
• Temperaturbereich: -55 °C bis +150 °C Sperrschichttemperatur
• Zielgruppe: Entwickler und Elektronikingenieure in Industrie-, Server-, Telekom- und Netzteilanwendungen mit 600-V-Hochvoltstufen