THEMA IPB60R190C6

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Thema: IPB60R190C6

IPB60R190C6, Leistungs-MOSFET

IPB60R190C6 von Infineon Technologies AG - 600 V CoolMOS Power MOSFET mit 20,2 A und 151 W

Flatlay-Arrangement rund um Leistungshalbleiter zum Thema Infineon Chip, ISIN DE0006231004, weiches Oberlicht - Foto: THN

IPB60R190C6 von Infineon Technologies AG ist ein N-Channel Power MOSFET aus der 600-V-CoolMOS-Reihe mit bis zu 20 2 A Drainstrom 600 V Sperrspannung und 151 W Verlustleistung. Für Entwickler in Industrie- ...

ad-hoc-news.de, heute 20:14 Uhr