Samsung zHBM: Achtfach schneller als HBM5 – KI-Speicher-Revolution
Veröffentlicht am: 05.08.2026 um 13:21 Uhr | Redaktion boerse-global.de
Samsung hat auf der Flash Memory Summit 2026 in Santa Clara bahnbrechende Speicherkonzepte vorgestellt, die das KI-Zeitalter entscheidend prägen könnten. Die neuen Technologien zielen darauf ab, Engpässe bei der Verarbeitung künstlicher Intelligenz zu beseitigen.
Der südkoreanische Elektronikkonzern präsentierte am 4. August seine neue zHBM-Technologie, die Speicher direkt auf KI-Prozessoren stapelt. Dieser architektonische Umbruch verspricht eine rund achtmal höhere Leistung als der kommende HBM5-Standard. Für die boomende KI-Branche könnte das den Unterschied zwischen Warten und Durchbruch bedeuten.
Vertikales Stacking: Speicher direkt auf dem Prozessor
Das Herzstück der Ankündigung ist das branchenweit erste zHBM-Konzept. Während herkömmlicher High-Bandwidth-Speicher (HBM) neben dem Prozessor platziert wird, sitzt zHBM künftig direkt oben auf KI-Beschleunigern oder Grafikprozessoren (GPUs). Diese vertikale Integration verändert die Datenwege fundamental – Signale müssen nicht mehr weite Strecken über das Mainboard zurücklegen.
Die technischen Eckdaten können sich sehen lassen: Mehr als zehnfache Speicherdichte und dreifache Energieeffizienz im Vergleich zu HBM5 verspricht Samsung. Besonders bemerkenswert: Der thermische Widerstand sinkt um über 50 Prozent. Damit lösen die Ingenieure eines der größten Probleme bei der dichten Stapelung von Chips – die Abwärme.
Einen konkreten Produktionszeitplan nannte das Unternehmen nicht. Branchenbeobachter rechnen jedoch damit, dass zHBM nach der Markteinführung von HBM5 erscheinen wird – voraussichtlich um 2028.
zNAND-O: KI-Verarbeitung zum Bruchteil der Kosten
Mit zNAND-O stellte Samsung eine weitere Innovation vor, die sich speziell an KI-Anwendungen auf Endgeräten richtet. Das 3D-Speicherkonzept ist in Varianten mit vier und acht Lagen erhältlich. In Demonstrationen zeigte sich: Bei großen Sprachmodellen – etwa einem GPT-Modell mit 120 Milliarden Parametern – erreicht zNAND-O dieselbe Token-Verarbeitungsrate wie DRAM-basierte Server.
Der entscheidende Vorteil liegt im Preis. Die zNAND-O-Architektur bietet diese Leistung für ungefähr ein Sechstel der Kosten herkömmlicher DRAM-Serverkonfigurationen. Das dürfte die Tür für leistungsfähige KI-Verarbeitung auf Edge-Geräten und Verbraucherhardware weit öffnen – ein Bereich, in dem bisher vor allem Kostenargumente gegen den Einsatz hochwertiger KI-Funktionen sprachen.
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V10 BV-NAND: Dichter packen mit über 400 Lagen
Ergänzend zu den HBM-Neuheiten gewährte Samsung Einblicke in die nächste Generation des V10 BV-NAND. Die neue Speichertechnologie umfasst mehr als 400 Lagen – ein deutlicher Sprung gegenüber früheren Generationen. Möglich macht das die Wafer-Bonding-Technologie, die eine um 58 Prozent höhere Speicherdichte im Vergleich zur V9-Generation erzielt.
Ein Vizepräsident des Unternehmens betonte auf der Konferenz, dass diese Entwicklungen Samsungs Rückkehr an die Spitze des Speichersektors markieren. Die neue Suite an 3D-Speicherlösungen sei darauf ausgelegt, bestehende Datenübertragungsbarrieren zu beseitigen und die immer intensiveren Rechenanforderungen der globalen KI-Industrie zu unterstützen.
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Für deutsche Unternehmen und Forschungseinrichtungen, die auf KI-Infrastruktur setzen, könnten diese Entwicklungen langfristig entscheidend sein: Günstigere Speicherlösungen senken die Einstiegshürden für eigene KI-Modelle – und die höhere Energieeffizienz adressiert genau die Nachhaltigkeitsanforderungen, die in Europa zunehmend in den Fokus rücken.
