Navitas und Wise Integration: GaN und SiC für KI-Rechenzentren
Veröffentlicht am: 25.09.2026 um 18:12 Uhr | Redaktion boerse-global.de
Navitas Semiconductor und Wise Integration haben eine Zusammenarbeit vereinbart, um hocheffiziente Stromumwandlung mit Galliumnitrid- (GaN) und Siliziumkarbid-Halbleitern (SiC) für die Infrastruktur von KI-Rechenzentren voranzutreiben. Das berichtete electronicsmedia.info.
Fokus auf Netzteile für KI-Rechenzentren
Die Kooperation richtet sich laut einem Bericht von electronicsera.in vom 25.09.2026 auf ein breites Anwendungsfeld: KI-PCs, Workstations, Gaming-PCs und Industriesysteme sollen ebenso profitieren wie die Netzteile für KI-Rechenzentren.
Auch weitere Stromwandlungstopologien stehen im Blick der beiden Unternehmen. Damit adressiert die Partnerschaft einen Bereich, der angesichts des wachsenden Strombedarfs von KI-Infrastruktur zunehmend in den Fokus von Chipherstellern und Systemanbietern rückt.
Aufgabenteilung zwischen den Partnern
Nach Angaben von electronicsmedia.info bringt Wise Integration verteilte digitale Steuerung beziehungsweise digitale Regelung in die Partnerschaft ein. Navitas Semiconductor wiederum steuert seine GaN- und SiC-Technologien bei, wie electronicsera.in berichtete. Diese Kombination aus digitaler Regelungstechnik und leistungsstarken Halbleitermaterialien soll die Grundlage für die geplanten gemeinsamen Entwicklungen bilden.
Der Strombedarf von KI-Infrastruktur steigt, und mit ihm die Wandlungsverluste entlang der gesamten Kette. GaN- und SiC-Halbleiter gelten in der Branche als Schlüssel, um Stromumwandlung kompakter und effizienter zu gestalten als mit klassischen Silizium-Bauteilen — genau hier setzen die geplanten Entwicklungen aus der Partnerschaft von Navitas Semiconductor und Wise Integration an. Unser kostenloser Report ordnet ein, was das für Betreiber bedeutet: von der Effizienz-Checkliste für GaN und SiC über die Stromkette vom Netz bis zum Chip bis zum Kostenvergleich SiC gegenüber Silizium. Jetzt kostenlosen Effizienz-Report anfordern
Ziel: Effizienz vom Stromnetz bis zum Chip
Die beiden Unternehmen streben laut electronicsmedia.info Hochspannungs-, Hochleistungs- und hocheffiziente Anwendungen an, die sich über die gesamte Energiekette erstrecken – vom Stromnetz bis zum Chip. Dieser durchgängige Ansatz spiegelt die Herausforderung wider, vor der Betreiber von KI-Rechenzentren stehen: Strom muss mit möglichst geringen Verlusten von der Netzeinspeisung bis zum einzelnen Prozessor transportiert und umgewandelt werden.
Platz in Ihrem Rechenzentrum ist knapp, und jedes zusätzliche Netzteil verschärft die Situation. Kompaktere Stromumwandlung auf Basis von GaN und SiC kann genau dort ansetzen — sie reduziert laut Brancheneinschätzung sowohl Betriebskosten als auch den Platzbedarf von Netzteilen. Bevor Ihre Konkurrenz die nächste Rack-Generation plant, sollten Sie wissen, welche Umwandlungsstufen sich heute schon schlanker auslegen lassen. Der Report zeigt Ihnen die Stromkette vom Netz bis zum Chip und wo kompakte Bauformen realistisch sind. Effizienz-Report jetzt kostenlos sichern
GaN- und SiC-Halbleiter gelten in der Branche als Schlüsseltechnologien, um Stromumwandlung kompakter und effizienter zu gestalten als mit klassischen Silizium-Bauteilen. Angesichts des steigenden Energiebedarfs von KI-Anwendungen gewinnt diese Effizienzsteigerung an Bedeutung, da sie sowohl Betriebskosten als auch den Platzbedarf von Netzteilen in Rechenzentren reduzieren kann.
Mit der Partnerschaft zwischen Navitas Semiconductor und Wise Integration bündeln zwei auf Leistungshalbleiter und digitale Regelungstechnik spezialisierte Unternehmen ihre jeweiligen Kompetenzen, um dieser Nachfrage aus dem KI-Infrastrukturmarkt zu begegnen.
