TWINSCAN NXE:3400C von ASML - EUV-Lithographiesystem für 7- und 5-nm-Chips mit 170 Wafern pro Stunde

TWINSCAN NXE:3400C von ASML ist ein EUV-Lithographiesystem für die Volumenfertigung von 7- und 5-nm-Logikchips und erreicht bei 20 mJ/cm2 eine Durchsatzspezifikation von mindestens 170 Wafern pro Stunde. Für Halbleiterfertiger positioniert sich das System damit im Segment moderner EUV-Lithografie mit 300-mm-Wafern.

TWINSCAN NXE:3400C von ASML ist ein extrem-ultraviolettes Lithographiesystem für die Volumenproduktion von Logik- und Speicherchips im Bereich von 7- und 5-nm-Strukturen und arbeitet mit 300-mm-Siliziumwafern sowie einer Durchsatzspezifikation von mindestens 170 Wafern pro Stunde bei einer Belichtungsdosis von 20 mJ/cm2.Technische Daten NXE:3400C

Technische Eckdaten des EUV-Systems

Das TWINSCAN NXE:3400C arbeitet mit EUV-Licht einer Wellenlänge von 13,5 nm und nutzt ein vollständig reflektives 4x-Reduktionsobjektiv mit einer numerischen Apertur von 0,33, um Strukturgrößen bis hinunter zu etwa 13 nm auf dem Wafer abzubilden.Optische Spezifikationen

Der maximale Belichtungsfeldbereich liegt bei 26 mm mal 33 mm, sodass sich großflächige Chipdesigns in einem Schritt belichten lassen, während das System auf 300-mm-Wafern bei 30 mJ/cm2 mindestens 135 Wafer pro Stunde verarbeitet und damit hohe Produktivität mit anspruchsvoller Auflösung verbindet.Belichtungsfeld und Durchsatz

Positionierung in der NXE-Reihe und Vergleich

Das NXE:3400C ist der Nachfolger des NXE:3400B und wurde für die EUV-Volumenfertigung an den 7- und 5-nm-Knoten entwickelt, wobei gegenüber dem Vorgängermodell eine höhere Produktivität und verbesserte Überlagerungsgenauigkeit erreicht wird.Nachfolger von NXE:3400B

Im Vergleich zu späteren 0,33-NA-Systemen der NXE-Plattform wie dem NXE:3800E, das für 2-nm-Logikknoten ausgelegt ist und einen Durchsatz von rund 220 Wafern pro Stunde erreicht, ordnet sich das NXE:3400C als etabliertes Werkzeug für 7- und 5-nm-Technologie mit geringerer, aber für seine Zielknoten ausreichender Produktivität ein.Vergleich NXE:3400C und NXE:3800E

Einsatzgebiete und Fertigungsknoten

Das TWINSCAN NXE:3400C ist für EUV-Volumenfertigung an 7- und 5-nm-Knoten konzipiert, wobei es mit ArF-Immersionssystemen auf NXT-Plattformen kombiniert werden kann, um ein abgestimmtes Lithografiekonzept für kritische und weniger kritische Schichten bereitzustellen.Einsatzknoten NXE:3400C

Einordnung im EUV-Portfolio

Im EUV-Portfolio von ASML steht das NXE:3400C als Low-NA-System mit 0,33 NA und dient als Grundlage für die großflächige Einführung von EUV in der Serienfertigung, während nachfolgende Modelle wie NXE:3600D und NXE:3800E vor allem eine höhere Produktivität und verbesserte Overlay-Leistung für 3- und 2-nm-Knoten liefern.Weiterentwickelte NXE-Systeme

Wichtige Produktdaten zum TWINSCAN NXE:3400C

• Produkt: TWINSCAN NXE:3400C EUV-Lithographiesystem
• Hersteller: ASML Holding N.V.
• Kategorie: EUV-Lithographiesystem für 300-mm-Wafer
• Wellenlänge: 13,5 nm EUV-Licht zur Belichtung der Wafer
• Numerische Apertur: 0,33 mit reflektivem 4x-Reduktionsobjektiv
• Belichtungsfeld: 26 mm x 33 mm maximale Feldgröße
• Durchsatz 20 mJ/cm2: ?170 Wafer pro Stunde auf 300-mm-Wafern
• Durchsatz 30 mJ/cm2: ?135 Wafer pro Stunde auf 300-mm-Wafern
• Zielknoten: Volumenfertigung an 7- und 5-nm-Logiktechnologien
• Zielgruppe: Halbleiterfertiger mit EUV-Einsatz in der Serienproduktion