Infineon OptiMOS 5 80 V IPT012N08N5ATMA1 - N-Kanal Power-MOSFET mit 300 A Dauerstrom

Infineon OptiMOS 5 80 V IPT012N08N5ATMA1 ist ein N-Kanal Power-MOSFET für Hochstromanwendungen mit bis zu 300 A Dauerstrom und einer maximalen Verlustleistung von 375 W. Infineon Technologies AG positioniert das Modell damit im Segment leistungsstarker Schalttransistoren für Industrie- und Automotive-Designs.

Infineon OptiMOS 5 80 V IPT012N08N5ATMA1 richtet sich an Entwickler, die in Gleichstromantrieben, Schaltnetzteilen oder Batteriemanagement-Systemen sehr hohe Ströme effizient schalten möchten. Der N-Kanal Power-MOSFET arbeitet mit einer Drain-Source-Spannung von 80 V und ist für Dauerströme bis 300 A ausgelegt, was ihn für anspruchsvolle Industrie- und Automotive-Anwendungen interessant macht.

Technische Kennwerte des IPT012N08N5ATMA1

Der OptiMOS 5 Power-MOSFET IPT012N08N5ATMA1 gehört zur 80-V-Familie von Infineon und nutzt eine hochoptimierte Struktur für geringe Leitverluste. Ein Händlerdatenblatt nennt eine Drain-Source-Spannung VDS von 80 V, einen kontinuierlichen Drain-Strom von 300 A sowie eine maximale Verlustleistung von 375 W bei einem RDS(on) von 1,2 m? bei 10 V Gate-Spannung.Technische Daten bei Farnell

Das Bauteil ist in einem PG-HSOF-Gehäuse untergebracht und für den Oberflächenaufbau auf Leiterplatten ausgelegt. Das Datenblatt einer eng verwandten OptiMOS-3-Ausführung mit 80 V nennt für vergleichbare HSOF-Gehäuse ebenfalls Verlustleistungen im Bereich von 375 W und hohe Pulsströme, sodass der IPT012N08N5ATMA1 klar als Hochleistungs-MOSFET im oberen Bereich der OptiMOS-5-Linie einzustufen ist.OptiMOS 80-V-Datenblatt von Infineon

OptiMOS 5 80 V im Produktportfolio von Infineon

Infineon führt den IPT012N08N5ATMA1 als Teil seiner OptiMOS 5 80-V- und 100-V-Familie von N-Kanal-Power-MOSFETs, die speziell für synchronen Gleichrichterbetrieb in Telekom- und Servernetzteilen sowie für Solarwechselrichter und Niederspannungsantriebe ausgelegt sind.Infineon-Übersicht OptiMOS 5 80 V und 100 V Die Reihe bietet verschiedene Gehäuseformen von klassischen Durchstecktypen bis zu modernen Oberflächenmontage-Paketen, um layoutkritische Designs mit hohen Strömen und geringen Verlusten zu unterstützen.

Im Vergleich zu älteren OptiMOS-Generationen und Wettbewerbsprodukten verweist Infineon in Produktunterlagen für OptiMOS 6 und 7 auf deutlich niedrigere RDS(on)-Werte und verbesserte Schaltzeiten für bestimmte Gehäusevarianten.Infineon OptiMOS 6 80 V Der IPT012N08N5ATMA1 mit 1,2 m? RDS(on) bei 10 V reiht sich in diesen Kontext als sehr niederohmige Lösung ein, bleibt jedoch innerhalb der etablierten OptiMOS-5-Generation positioniert.

Einsatzgebiete und Vergleich zu Alternativen

Typische Anwendungen für den IPT012N08N5ATMA1 finden sich in Hochstrompfaden von DC-DC-Wandlern, in Gleichstrommotor-Steuerungen oder in batteriegespeisten Systemen mit Zwischenkreisspannungen im Bereich von 48 V. Die 80-V-Klassifizierung bietet Reserven für Überspannungen, wie sie etwa in Bordnetzen oder bei Schaltvorgängen auftreten können, während der sehr niedrige RDS(on)-Wert die ohmschen Verluste im leitenden Zustand minimiert.Product Brief mit Anwendungsbeispielen

Im Vergleich zu OptiMOS-6- oder OptiMOS-7-Bauteilen mit ähnlicher Spannungsfestigkeit bieten neuere Typen vereinzelt nochmals geringere On-Widerstände und optimierte Schaltzeiten, etwa RDS(on)-Maximalwerte bis 1,3 m? bei vergleichbaren Gehäusegrößen und Pulsströmen von über 800 A.Vergleichswerte in einem OptiMOS-Produktbrief Der IPT012N08N5ATMA1 bleibt jedoch mit seinem 300-A-Dauerstrom und der Verlustleistung von 375 W eine robuste Option, wenn neben sehr niedrigen Leitverlusten vor allem die thermische Belastbarkeit im Dauerbetrieb zählt.

Einordnung des IPT012N08N5ATMA1 für Entwickler

Wer in industriellen Umrichtern, leistungsstarken DC-DC-Wandlern oder Bordnetzkomponenten einen 80-V-MOSFET mit besonders hohem Stromhandling benötigt, findet im Infineon OptiMOS 5 IPT012N08N5ATMA1 einen Baustein mit klar dokumentierten Leistungsdaten. Die Kombination aus 80 V Spannungsfestigkeit, 300 A Dauerstrom und einem RDS(on) von 1,2 m? zielt auf Designs, in denen Leiterbahnen, Kühlkonzepte und Gate-Ansteuerung konsequent auf hohe Effizienz und Reserven ausgelegt sind.

Gegenüber Standard-MOSFETs mit deutlich höheren On-Widerständen reduziert der OptiMOS-5-Ansatz die Verlustleistung im leitenden Zustand, was insbesondere bei hohen Lasten und Taktfrequenzen spürbar ist. Neuere OptiMOS-Generationen können einzelne Kennwerte noch weiter verbessern, doch bleibt der IPT012N08N5ATMA1 für viele Anwendungsfälle eine ausbalancierte Lösung zwischen Verfügbarkeit, Leistungsfähigkeit und Designaufwand.

Technische Fakten zum Infineon OptiMOS 5 IPT012N08N5ATMA1

• Produkt: Infineon OptiMOS 5 IPT012N08N5ATMA1, N-Kanal MOSFET 80 V
• Hersteller: Infineon Technologies AG
• Kategorie: Leistungshalbleiter Power-MOSFET (N-Kanal)
• Drain-Source-Spannung VDS: 80 V
• Kontinuierlicher Drain-Strom ID: 300 A
• Drain-Source-On-Widerstand RDS(on): 1,2 m? bei VGS = 10 V
• Maximale Verlustleistung: 375 W
• Gehäuse: PG-HSOF, Surface-Mount-Ausführung