Infineon IPP60R099C7XKSA1 Leistungs-MOSFET - 600V N-Kanal für hohe Ströme

Infineon IPP60R099C7XKSA1 ist ein 600V N-Kanal-Leistungs-MOSFET mit einem Dauer-Drainstrom von 22A und einem typischen Durchgangswiderstand von 0,099 Ohm im TO-220-Gehäuse. Infineon Technologies AG positioniert das Modell damit im Segment leistungsstarker 600V-MOSFETs für Industrieanwendungen.

Infineon IPP60R099C7XKSA1 von Infineon Technologies AG richtet sich an Entwickler, die bei Netzteilen, PFC-Stufen und Industrieelektronik einen kompakten 600V-Leistungs-MOSFET mit hohen Strömen brauchen. Der Transistor aus der CoolMOS C7 Reihe kombiniert eine maximale Drain-Source-Spannung von 600V mit einem Dauer-Drainstrom von 22A und einem typischen Durchgangswiderstand von 0,099 Ohm im klassischen TO-220-Gehäuse.Technische Kennwerte bei Farnell

Technische Eckdaten des 600V N-Kanal-MOSFET

Der IPP60R099C7XKSA1 gehört zur 600V CoolMOS C7 Serie und ist als N-Kanal-Leistungs-MOSFET für Anwendungen an hohen Netzspannungen ausgelegt. Die maximale Drain-Source-Spannung Vds liegt bei 600V, der kontinuierliche Drainstrom Id bei 22A und der maximale Durchgangswiderstand Rds(on) bei 0,099 Ohm bei einer Gate-Spannung von 10V.Kennzahlen und Bauteilserie

Das Gehäuse ist ein TO-220 mit drei Pins für Durchsteckmontage, was den Einsatz auf klassischen Leiterplatten in Netzteilen und Industrieelektronik erleichtert. Die maximale Verlustleistung des Bauteils wird mit 110W angegeben, die Betriebstemperatur reicht typischerweise von -55°C bis 150°C und der Gate-Source-Spannungsbereich liegt bei ±20V, womit der MOSFET für robuste Schaltanwendungen ausgelegt ist.Gehäuse- und Leistungsdaten

Einsatzbereiche und Vergleich im 600V-MOSFET-Segment

Infineon positioniert CoolMOS C7 Bauteile generell für PFC-Stufen und PWM-basierte Hochleistungs-Schaltnetzteile, etwa in Servern, Telekommunikationsausrüstung oder USV-Systemen.CoolMOS Serienüberblick Mit seinem Rds(on) von 0,099 Ohm im TO-220-Package adressiert der IPP60R099C7XKSA1 Anwendungen, bei denen Effizienz und thermische Reserven bei Dauerströmen um 20A entscheidend sind.

Im Vergleich zu höher stromtragenden Modellen der CoolMOS P7 Serie wie dem IPW60R037P7XKSA1, der bei 600V einen Dauer-Drainstrom von 76A und einen Durchgangswiderstand von 0,03 Ohm im größeren TO-247-Gehäuse bietet,Vergleich zu IPW60R037P7XKSA1 platziert sich der IPP60R099C7XKSA1 klar im mittleren Leistungsbereich. Er adressiert damit Designs, in denen kompaktere Bauformen und moderate Ströme gefragt sind, während extrem hohe Ströme eher den breiteren TO-247-Typen vorbehalten bleiben.

Preisniveau und Verfügbarkeit im deutschen Handel

Leistungs-MOSFETs von Infineon mit vergleichbaren Kennwerten im 600V-Segment werden im deutschen Fachhandel üblicherweise im Bereich von rund 2,50 Euro bis knapp über 8,00 Euro je Stück angeboten, abhängig von Gehäuse, Durchgangswiderstand und Bestellmenge.Preisstaffel eines 600V-MOSFET Ein Beispiel mit ähnlicher Größenordnung zeigt Einzelpreise ab etwa 8,07 Euro für kleine Stückzahlen und deutlich niedrigere Preise bei größeren Bestellmengen.

Ein anderer 600V-MOSFET im TO-220-Format mit Dauer-Drainstrom um 20A und Verlustleistung im Bereich von über 150W wird im deutschen Elektronikhandel bereits ab etwa 2,89 Euro pro Stück angeboten, bei Großmengen sinken die Stückpreise unter 2,50 Euro.Preisbeispiel eines 600V-TO-220-MOSFETs Damit liegt der IPP60R099C7XKSA1 je nach Händler und Bestellmenge typischerweise im oberen einstelligen oder unteren mittleren Euro-Bereich pro Stück, was für ein spezialisierteres 600V-Bauteil mit optimiertem Rds(on) und hoher Effizienz typisch ist.

Einordnung für Entwickler und Vergleich zur Kategorie

Im Spektrum der 600V-Leistungs-MOSFETs bietet der IPP60R099C7XKSA1 eine Kombination aus 22A Dauerstrom, 600V Spannungsfestigkeit und 0,099 Ohm Durchgangswiderstand, die sich vor allem für mittlere Leistungsbereiche und kompakte Designs im TO-220-Gehäuse eignet.Kennwerte und Einsatzbereich des IPP60R099C7XKSA1 Gegenüber stärker ausgelegten Typen mit 70A und mehr Stromtragfähigkeit punktet er mit geringerer Baugröße und geeigneten Kennwerten für Anwendungen, bei denen Ströme im Bereich um 20A ausreichen und Effizienz dennoch eine große Rolle spielt.

Für Entwickler von Schaltnetzteilen, PFC-Stufen oder Industrieelektronik bleibt entscheidend, die Kennwerte des MOSFETs mit den Anforderungen des jeweiligen Designs abzugleichen. Wer höhere Ströme und niedrigeren Durchgangswiderstand benötigt, greift zu größeren Gehäusen wie TO-247 mit Rds(on) deutlich unter 0,05 Ohm, während kompakte TO-220-Typen wie der IPP60R099C7XKSA1 einen guten Kompromiss aus Leistungsfähigkeit, Platzbedarf und Kosten darstellen.

Infineon IPP60R099C7XKSA1 - wichtige Fakten

• Produkt: Infineon IPP60R099C7XKSA1, 600V N-Kanal-Leistungs-MOSFET im TO-220-Gehäuse
• Hersteller: Infineon Technologies AG
• Kategorie: Leistungs-MOSFET 600V (N-Kanal)
• Drain-Source-Spannung Vds: 600V
• Kontinuierlicher Drainstrom Id: 22A
• Durchgangswiderstand Rds(on): 0,099 Ohm bei 10V Gate-Spannung
• Verlustleistung: 110W
• Gehäuse: TO-220, Durchsteckmontage, 3 Pins
• Betriebstemperaturbereich: -55°C bis 150°C
• Preis: typischerweise im Bereich 2,50-8,00 Euro je Stück, abhängig von Händler und Bestellmenge (Stand 12.09.2026)
• Zielgruppe: Entwickler von Schaltnetzteilen, PFC-Stufen und Industrieelektronik mit 600V-Anwendungen