Infineon IPP60R060C7 CoolMOS MOSFET - 600 V und 54 A für Leistungsanwendungen

Infineon IPP60R060C7 ist ein 600-V-CoolMOS-C7-Power-MOSFET mit einem maximalen Dauerstrom von 54 A bei einer maximalen Sperrspannung von 650 V. Für Entwickler in Netzteilen und Leistungswandlern ist vor allem der niedrige Einschaltwiderstand von 60 m? und die typische Gate-Ladung von 68 nC entscheidend.

Infineon IPP60R060C7 ist ein leistungsstarker N-Kanal-Power-MOSFET der CoolMOS-C7-Reihe und zielt auf anspruchsvolle Anwendungen in der Leistungselektronik wie PFC-Stufen und Resonanzwandler.

Technische Kennwerte des IPP60R060C7

Der Transistor IPP60R060C7 gehört zur 600-V-CoolMOS-C7-Technologie und ist für eine maximale Drain-Source-Spannung VDS bei maximaler Sperrschichttemperatur von 650 V ausgelegt, was ihn für Netzanwendungen mit großzügiger Spannungsreserve qualifiziert. Laut Datenblatt ist der maximale Einschaltwiderstand RDS(on) mit 60 m? spezifiziert, was zu geringen Leitverlusten bei hohen Strömen beiträgt. Die typische Gate-Ladung Qg liegt bei 68 nC, ein Wert, der schnelles Schalten ermöglicht und die Treiberverluste begrenzt.

Für den kontinuierlichen Drainstrom ID bei einer Sperrschichttemperatur von unter 150 °C nennt das Datenblatt einen Wert von 54 A, während der Pulsstrom mit bis zu 135 A spezifiziert ist. Diese Kennwerte sind vor allem für Entwickler relevant, die kurzzeitig hohe Spitzenströme schalten und gleichzeitig die thermische Belastung im Blick behalten müssen. Die Energie der Ausgangskapazität Eoss bei 400 V ist mit 8,1 µJ angegeben, was auf eine optimierte Schaltcharakteristik für hart schaltende Topologien hinweist. Die Di/dt-Fähigkeit der Body-Diode wird mit 420 A/µs spezifiziert, was schnelle Stromänderungen in Freilaufphasen unterstützt.

Gehäuse und Einsatzbereiche

Der IPP60R060C7 wird im durchsteckbaren PG-TO-220-Gehäuse angeboten, das vor allem in klassischen Netzteilen und industriellen Leistungsmodulen verbreitet ist. Die Gehäusekennung 60C7060 steht dabei für die konkrete Ausführung des Bauteils. Die CoolMOS-C7-Technologie ist auf hohe Effizienz in hart schaltenden Topologien wie PFC- und LLC-Stufen ausgelegt und verbindet niedrigen RDS(on) mit hoher Spannungsfestigkeit. Eine Produktübersicht zu 600-V-CoolMOS-C7-Bauteilen betont die Eignung dieser Technologie sowohl für PFC-Stufen als auch für hoch effiziente Resonanzwandler.

Typische Einsatzfelder für den IPP60R060C7 sind Netzteile mit Leistungsfaktorkorrektur im Leistungsbereich von mehreren hundert Watt bis in den Kilowattbereich, industrielle Schaltnetzteile sowie professionelle Ladegeräte, in denen hohe Schaltfrequenzen und Wirkungsgrade gefordert sind. Die MOSFET-Übersicht von Infineon zeigt den IPP60R060C7 eingebettet in ein breites Portfolio an Hochvolt-MOSFETs, die für industrielle und Multimarkt-Anwendungen vorgesehen sind.

Vergleich mit IPW60R099C7 in TO-247

Innerhalb der 600-V-CoolMOS-C7-Reihe steht der IPP60R060C7 neben Varianten wie dem IPW60R099C7, der im größeren TO-247-Gehäuse angeboten wird. Beim IPW60R099C7 liegt der maximale Einschaltwiderstand mit 99 m? höher, während die maximale Dauerstrombelastbarkeit mit 36 A unterhalb des IPP60R060C7 angesiedelt ist. Gleichzeitig ist die typische Gate-Ladung mit 42 nC geringer, was den IPW60R099C7 für Anwendungen interessant macht, bei denen besonders schnelle Schaltvorgänge mit kleineren Strömen im Fokus stehen.

Für Entwickler bedeutet dies, dass der IPP60R060C7 mit 60 m? RDS(on) und 54 A Dauerstrom vor allem dann seine Stärken ausspielt, wenn hohe Ströme und niedrige Leitverluste entscheidend sind, während der IPW60R099C7 eine Option für Anwendungen mit moderaten Strömen und reduziertem Schaltaufwand darstellt. Eine unabhängige Kennwertübersicht zu 600-V-C7-MOSFETs bestätigt die typischen Spannungs- und Strombereiche dieser Bauteile, was die Einordnung im Vergleich erleichtert.

Einordnung für Entwickler und Projekte

Mit seinen Kennwerten ist der IPP60R060C7 ein Bauteil, das vor allem in hochwertigen Leistungswandlern und industriellen Stromversorgungen eingesetzt wird, wo sowohl hohe Effizienz als auch robuste Spannungsfestigkeit gefragt sind. Applikationsdokumente zur 600-V-CoolMOS-C7-Reihe betonen die Effizienzvorteile gegenüber Vorgängergenerationen, insbesondere in hart schaltenden und resonanten Topologien. Die Kombination aus 650 V Spannungsfestigkeit, 60 m? RDS(on) und 54 A Dauerstrom macht den IPP60R060C7 zu einem Baustein, der in vielen Designs als leistungsstarke Option für die Primärseite von Schaltnetzteilen in Frage kommt.

Gleichzeitig zeigt der Vergleich mit dem IPW60R099C7, dass innerhalb der C7-Reihe unterschiedliche Schwerpunkte möglich sind: Der IPP60R060C7 priorisiert hohe Stromtragfähigkeit und geringe Leitverluste, während andere Typen mit höherem RDS(on) und niedrigerer Gate-Ladung gezielt für Anwendungen mit anderen Anforderungen ausgelegt sind. Für die Projektplanung lohnt daher der Blick in das komplette Portfolio, um den passenden Kompromiss aus Schaltgeschwindigkeit, Verlustleistung und Gehäuseform für das jeweilige Leistungsniveau zu finden.

Wichtige Daten zum IPP60R060C7

• Produkt: Infineon IPP60R060C7 CoolMOS-C7-Power-MOSFET
• Hersteller: Infineon Technologies AG
• Kategorie: N-Kanal-Power-MOSFET 600 V
• Maximale Sperrspannung VDS: 650 V
• Maximaler Einschaltwiderstand RDS(on): 60 m?
• Kontinuierlicher Drainstrom ID: 54 A bei Tj<150 °C
• Pulsstrom ID,pulse: 135 A
• Typische Gate-Ladung Qg: 68 nC
• Ausgangskapazitätsenergie Eoss: 8,1 µJ bei 400 V
• Body-Diode di/dt-Fähigkeit: 420 A/µs
• Gehäuse: PG-TO-220