Infineon CoolMOS C7 IPP60R060C7 - 600V Power-MOSFET mit hoher Effizienz

Infineon CoolMOS C7 IPP60R060C7 bringt einen 600V Superjunction-MOSFET mit maximal 60 m? Durchgangswiderstand und bis zu 54A Dauerstrom in Leistungsanwendungen. Infineon Technologies AG positioniert das Bauteil damit im Segment effizienter Hochvolt-Schalttransistoren für PFC- und LLC-Netzteile.

Der Infineon CoolMOS C7 IPP60R060C7 ist ein leistungsstarker 600V Superjunction-MOSFET von Infineon Technologies AG, ausgelegt für anspruchsvolle Leistungsanwendungen wie PFC-Stufen und resonante LLC-Netzteile. Mit einer maximalen Drain-Source-Spannung von 650V, einem typischen RDS(on) im zweistelligen Milliohm-Bereich und hohen Stromtragfähigkeiten zielt das Bauteil auf leistungsdichte Netzteile, Industrieantriebe und andere hart schaltende Topologien.

Technische Eckdaten des IPP60R060C7

Laut dem Datenblatt des Infineon IPP60R060C7 bietet der MOSFET eine maximale Drain-Source-Spannung VDS von 650V, sodass er für 600V-Hochvolt-Anwendungen ausgelegt ist.Das Datenblatt IPP60R060C7 Der maximale Durchgangswiderstand RDS(on) des Transistors liegt bei 60 m?, was für die 600V-Klasse einen niedrigen Leitverlust ermöglicht.RDS(on) und Kennwerte Die kontinuierliche Drainstrom-Fähigkeit liegt bei etwa 54A bei einer Sperrschichttemperatur unter 150°C, Impulsströme werden mit bis zu 135A angegeben, was den Einsatz in leistungsstarken Schaltstufen unterstützt.Stromangaben im Datenblatt

Der IPP60R060C7 setzt auf die CoolMOS C7-Technologie, die laut Infineon erstmals ein RDS(on)*A unter 1 ?*mm² erreicht und die Schaltverluste gegenüber älteren CoolMOS-Generationen deutlich reduziert.CoolMOS C7 Produktbrief Das Bauteil wird im klassischen TO-220-Gehäuse angeboten, wodurch es sich für durchsteckmontierte Leistungsplatinen eignet und den Austausch gegen bestehende TO-220-MOSFETs erleichtert.Gehäuse TO-220

Einsatzgebiete und Leistungsfähigkeit

Die 600V CoolMOS C7-Serie ist speziell auf Anwendungen mit hartem Schaltverhalten und hohen Effizienzanforderungen zugeschnitten, etwa aktive PFC-Stufen für Schaltnetzteile oder resonante LLC-Wandler im Bereich von einigen hundert Watt bis zu mehreren Kilowatt.Serie 600V CoolMOS C7 Im Vergleich zu älteren CoolMOS-Reihen reduziert C7 die Ausschaltverluste Eoss um etwa 50 Prozent und ermöglicht damit messbare Effizienzgewinne von bis zu rund 0,7 Prozentpunkte in PFC-Stufen und 0,1 Prozentpunkte in LLC-Topologien.Effizienzvorteile C7

Der IPP60R060C7 kann mit seiner Kombination aus hoher Spannungsfestigkeit, niedrigem RDS(on) und hoher Stromtragfähigkeit in Netzteilen mit Leistungen im Kilowatt-Bereich eingesetzt werden, beispielsweise in Servernetzteilen oder industriellen Stromversorgungen. Die maximale Sperrschichttemperatur wird typischerweise mit 150°C angegeben, wodurch thermisch belastbare Designs mit entsprechendem Kühlkörper unterstützt werden.Thermische Grenzwerte

Vergleich zu anderen CoolMOS C7-Ausführungen

Im Umfeld der 600V CoolMOS C7-Reihe gibt es mehrere Typen mit unterschiedlichen RDS(on)-Werten und Gehäusen. Ein Beispiel ist der IPZ60R040C7 im größeren TO-247-4-Gehäuse, der mit einem maximalen Durchgangswiderstand von 40 m? und einer kontinuierlichen Stromtragfähigkeit von bis zu rund 73A agiert.IPZ60R040C7 Datenblatt Im Vergleich dazu liegt der IPP60R060C7 mit 60 m? RDS(on) etwas höher im Widerstand, bleibt aber durch das kompaktere TO-220-Gehäuse gut in Platinen mit begrenztem Platz integrierbar.

Ein weiterer Vertreter ist der IPL60R104C7 im SMD-Gehäuse, der mit einem RDS(on) von 104 m? arbeitet und vor allem für flache Layouts mit automatisierter Bestückung gedacht ist.IPL60R104C7 Datenblatt Damit deckt die C7-Serie ein Spektrum von sehr niedrigen RDS(on)-Werten in größeren Gehäusen bis zu höheren Widerständen in kompakten Gehäuseformen ab, sodass Entwickler je nach Leistungsniveau und Platzangebot passende Typen wählen können.

Hersteller und Vertriebsstruktur

Infineon Technologies AG mit Sitz in München verantwortet die Entwicklung und Fertigung der CoolMOS-Serie und tritt mit der Marke Infineon im Halbleitermarkt auf. Für den deutschen Markt erfolgt der Vertrieb von Leistungshalbleitern über verschiedene Distributoren und Elektronik-Händler, die den IPP60R060C7 im Sortiment führen. Dadurch ist der MOSFET sowohl für Industriekunden als auch für Entwicklungsabteilungen in Deutschland verfügbar.

Preisrahmen und Marktposition

Leistungs-MOSFETs wie der IPP60R060C7 werden im B2B-Handel häufig in Stückzahlen angeboten, die Preise hängen von Bestellmenge und Distribution ab. Für Entwickler und kleinere Abnahmemengen liegt der Stückpreis typischerweise im zweistelligen Euro-Bereich pro Bauteil, womit der Transistor im Rahmen anderer 600V-Leistungs-MOSFETs positioniert ist. Die Kombination aus effizienter CoolMOS-C7-Technologie und etabliertem TO-220-Gehäuse macht den IPP60R060C7 zu einem Baustein, der sich in anspruchsvollen, aber kostensensitiven Designs einsetzen lässt.

Einordnung und Fazit

Der Infineon CoolMOS C7 IPP60R060C7 ergänzt das Portfolio der 600V-C7-Serie um einen leistungsfähigen TO-220-Typ mit 60 m? RDS(on) und bis zu 54A Dauerstrom. Im Vergleich zu Varianten wie dem IPZ60R040C7 im TO-247-Gehäuse, die noch niedrigeren Durchgangswiderstand und höhere Ströme bieten, richtet sich der IPP60R060C7 an Designs, die hohe Effizienz mit kompakter Bauform kombinieren und nicht die absolute Maximalleistung benötigen. Für Entwickler von PFC-Stufen, LLC-Netzteilen und anderen Hochvolt-Schaltanwendungen bietet das Bauteil einen ausgewogenen Kompromiss aus Performance, thermischer Beherrschbarkeit und Layout-Flexibilität.

Infineon CoolMOS C7 IPP60R060C7 - technische Fakten

• Produkt: Infineon CoolMOS C7 IPP60R060C7
• Hersteller: Infineon Technologies AG
• Kategorie: Leistungs-MOSFET (600V Superjunction)
• Maximale Drain-Source-Spannung VDS: 650V
• Maximaler Durchgangswiderstand RDS(on): 60 m?
• Kontinuierlicher Drainstrom ID: 54A