Infineon CoolMOS C7 600 V MOSFET IPZ60R040C7 für effiziente Leistungswandler

Infineon CoolMOS C7 600 V MOSFET IPZ60R040C7 kombiniert eine Sperrspannung von 600 V mit bis zu 50 A Dauerstrom und nur 40 m? maximalem RDS(on) im TO-247-Gehäuse. Für Entwickler in Server-, Telekom- oder Industrieanwendungen zählt vor allem die deutlich reduzierte Schaltverlustleistung.

Der Infineon CoolMOS C7 600 V MOSFET IPZ60R040C7 richtet sich an Entwickler, die hohe Wirkungsgrade in leistungsstarken Netzteilen, Servern oder Telekom-Stromversorgungen erreichen wollen und dabei klassische Siliziumtechnik gezielt ausreizen.

Technische Kennwerte und Aufbau

Der IPZ60R040C7 gehört zur 600 V CoolMOS C7 Reihe und ist als N-Kanal-Superjunction-MOSFET ausgeführt, ausgelegt für eine maximale Drain-Source-Spannung von 600 V und damit für typische PFC- und LLC-Topologien in Schaltnetzteilen geeignet. Technische Basisdaten zum Bauteil

Als Package nutzt der MOSFET ein 4-poliges TO-247-Gehäuse (TO-247 4-Pin), das für durchsteckbare Montage in Leistungsanwendungen ausgelegt ist und eine zusätzliche Kelvin-Source-Anschlussführung bietet. Angaben zu Gehäuse und Pins

Leit- und Schaltparameter im Detail

Der maximale Dauer-Drainstrom Id ist mit 50 A spezifiziert, was den Einsatz in Leistungsstufen im Kilowattbereich ermöglicht, solange das thermische Design entsprechend ausgelegt wird. Angaben zu Id und Vds

Die maximale Drain-Source-On-Resistance RDS(on) beträgt 40 m?, womit der IPZ60R040C7 in der CoolMOS C7 Serie zu den Varianten mit besonders geringer Leitverlustrate gehört. RDS(on)-Vergleich innerhalb der Serie

Schaltverluste und Effizienz

Die CoolMOS C7 Technologie reduziert die turn-off-Verluste Eoss gegenüber der Vorgängerserie CoolMOS CP typischerweise um etwa 50 Prozent, was in harten Schaltanwendungen wie PFC-Stufen direkte Effizienzgewinne ermöglicht. Angaben zu Eoss-Reduktion

In einem Vergleich mit zwei Wettbewerbsbauteilen mit ähnlicher maximaler RDS(on) gibt der Produktbrief für den CoolMOS C7 eine typische Gate-Ladung QG von 107 nC und eine Ausgangskapazität Coss von 85 pF an, während die Vergleichsbauteile bei 135 nC bzw. 200 pF liegen, was sich direkt in geringeren Schaltverlusten niederschlägt. Vergleichsparameter im Produktbrief

Preisniveau und Einsatzgebiete

Für ein vergleichbares 600 V CoolMOS C7 Bauteil mit 20,2 A Dauerstrom, 0,19 ? RDS(on) und TO-247-Gehäuse werden im deutschen Handel rund 2,10 Euro pro Stück fällig, etwa bei einer Stückzahl von eins (Stand 21.08.2026). Beispielpreis eines 600 V MOSFET

Typische Anwendungen der 600 V CoolMOS C7 Reihe umfassen PFC-Stufen und Hochleistungs-LLC-Wandler in Server- und Telekom-Stromversorgungen, unterbrechungsfreien Stromversorgungen (USV) sowie Solarwechselrichtern, in denen die Kombination aus hoher Sperrspannung, niedrigem RDS(on), 50 A Dauerstrom und robuster dv/dt-Festigkeit von bis zu 120 V/ns ausgenutzt wird. Einsatzbeispiele laut Bauteilbeschreibung

Wesentliche Daten zum Infineon CoolMOS C7 IPZ60R040C7

• Produkt: Infineon CoolMOS C7 IPZ60R040C7, 600 V
• Hersteller: Infineon Technologies AG
• Kategorie: N-Kanal-Leistungs-MOSFET (Superjunction)
• Maximale Drain-Source-Spannung: 600 V
• Maximaler Dauer-Drainstrom Id: 50 A
• Maximale Drain-Source-On-Resistance RDS(on): 40 m?
• Gehäuse: TO-247 4-Pin (Through Hole)
• Beispielpreis: 2,10 Euro pro Stück für ein vergleichbares 600 V MOSFET-Bauteil (Stand 21.08.2026)