Infineon-Aktie: 300-Millimeter-SiC erreicht Fertigungsstufe

Veröffentlicht am: 09.11.2026 um 11:51 Uhr | Redaktionelle Verantwortung: Rafael Müller, Chefredakteur AD HOC NEWS

Infineon meldet einen Fertigungsfortschritt bei 300-Millimeter-Siliziumkarbid-Wafern. Die Infineon-Aktie steht vor dem Zahlentermin im Fokus.

SiC-Technologie vor dem nächsten Test

Infineon hat in Villach erstmals 300-Millimeter-Siliziumkarbid-Wafer in einer Großfertigungsumgebung zu funktionsfähigen Bauelementen verarbeitet.
Die Technologie soll Anwendungen in Autos, erneuerbaren Energien, Industrie und KI-Rechenzentren unterstützen.
Die Vorstellung des Wafers auf der electronica fällt mit der Veröffentlichung der Jahreszahlen zusammen.

Infineon, DE0006231004, Illustration mit AI erstellt.

Infineon Technologies hat in Villach einen technologischen Meilenstein bei Siliziumkarbid erreicht. Der Halbleiterkonzern verarbeitete erstmals 300-Millimeter-Siliziumkarbid-Wafer in einer Fertigungsumgebung zu funktionsfähigen Leistungsbauelementen, wie MarketScreener unter Berufung auf die Unternehmensmitteilung berichtet. Die Meldung stammt vom Montag, 9. November 2026.

Der Schritt wurde im Werk des Konzerns im österreichischen Villach mit vorhandener Fertigungsausrüstung für Silizium umgesetzt. Nach Unternehmensangaben bietet ein 300-Millimeter-Wafer gegenüber einem 200-Millimeter-Wafer Platz für 2,3-mal so viele Chips. Infineon sieht darin die Grundlage für eine spätere Industrialisierung der Technologie und eine belastbare Versorgung mit SiC-Leistungshalbleitern.

Breitere Anwendungen im Fokus

Siliziumkarbid wird unter anderem für effiziente Stromumwandlung eingesetzt. Infineon nennt als Einsatzfelder Traktionswechselrichter, Ladegeräte für Elektrofahrzeuge, stationäre Energiespeicher, industrielle Antriebe und unterbrechungsfreie Stromversorgungen. Auch in KI-Rechenzentren kann SiC nach Unternehmensangaben in Festkörpertransformatoren, Leistungsschaltern und Stromversorgungen zum Einsatz kommen.

Vorstandschef Jochen Hanebeck wertete den Fortschritt als weiteren Schritt, um 300-Millimeter-SiC aus dem Labor in eine industrielle Fertigungsumgebung zu bringen. Infineon will den Zeitplan für eine mögliche Hochskalierung mit Kunden und Partnern abstimmen und zugleich die bestehende 200-Millimeter-SiC-Roadmap weiterverfolgen. Parallel hat der Konzern am Standort Dresden die Eignung seiner Cold-Split-Technologie für 300-Millimeter-SiC nach eigenen Angaben nachgewiesen.

Aktie vor Zahlen und Messe

Der Realtime-Kurs der Infineon-Aktie lag am Montag, 9. November 2026, um 11:46 Uhr bei Lang & Schwarz bei 47,37 Euro, 3,52 Prozent über dem Xetra-Schlusskurs vom Freitag, 6. November. Der Kursvergleich beschreibt die Notierung, stellt aber keinen Nachweis für eine unmittelbare Reaktion auf die SiC-Meldung dar.

Infineon will den ersten verarbeiteten 300-Millimeter-SiC-Wafer vom 10. bis 13. November auf der electronica in München zeigen. Am 10. November um 7:30 Uhr stehen zudem die Ergebnisse des vierten Geschäftsquartals und des Geschäftsjahres 2026 auf dem Unternehmenskalender. Damit treffen Technologiemeldung und Bilanztermin in kurzer Folge aufeinander.

Am deutschen Aktienmarkt richtet sich der Blick damit zugleich auf die Entwicklung des DAX.

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