Transphorm, TO-220-GaN-FETs

Transphorm, Inc.

05.01.2023 - 20:40:34

Transphorm veröffentlicht kompaktes 240-W-Netzteil-Referenzdesign mit den branchenweit einzigen hochleistungsfähigen TO-220-GaN-FETs. (Nasdaq: TGAN) – ein Pionier und weltweiter Anbieter von hochzuverlässigen, leistungsstarken Galliumnitrid (GaN)-Energieumwandlungsprodukten – gab heute die Verfügbarkeit seines neuen 240-W-Netzteil-Referenzdesigns bekannt. Das TDAIO-TPH-ON-240W-RD setzt eine CCM Boost PFC + Half-Bridge LLC-Topologie ein, um diese mit einer Spitzenleistungseffizienz von über 96 Prozent bei einer Leistungsdichte von bis zu 30 W/in3 anzubieten. Das Design von Transphorm nutzt drei SuperGaN® FETs (TP65H150G4PS) mit einem Einschaltwiderstand von jeweils 150 Milliohm. Der GaN FET wird in einem 3-poligen TO-220-Gehäuse geliefert, einem bekannten und seit langem bewährten Transistorgehäuse, das für Systeme mit höherer Stromleistung, die PFC-Konfigurationen durchführen, eine überlegene Thermik bei niedriger Spannung bietet.

von Transphorm ein. Dieses Portfolio umfasst derzeit fünf Open-Frame-USB-C-PD-Referenzdesigns mit einer Leistung von 45 bis 100 Watt. Es umfasst auch zwei Open Frame USB-C PD/PPS-Referenzdesigns für 65W- und 140W-Adapter.

SuperGaN® Technologie – der Unterschied

Bei der Entwicklung der SuperGaN-Plattform hat das Transphorm-Entwicklungsteam aus den Erfahrungen mit der Produktion früherer Produkte gelernt und dieses Wissen mit seinem Streben nach Verbesserungen in Bezug auf Leistung, Fertigung und Kosten kombiniert. Das Ergebnis war eine neue GaN-Plattform, die aus einer patentierten Technologie besteht, die ultimative Einfachheit und wesentliche Verbesserungen in verschiedenen Bereichen bietet, wie z. B.:

Leistung: eine flachere, höhere Effizienzkurve mit einer verbesserten Leistungskennzahl (RON*QOSS) von ~10 ProzentEntwicklungsfähigkeit: Eliminierung der Notwendigkeit eines Schaltknoten-Snubbers bei hohen Betriebsströmen.Kosten: Die Vereinfachung der Gerätemontage trägt zur Reduzierung der Kosten bei.Robustheit: branchenführende Gate-Robustheit von +/- 20 Vmax und Rauschimmunität von 4 V.Zuverlässigkeit: branchenführende Zuverlässigkeit mit einer FIT-Rate von < 0,10 bei mehr als 85 B Stunden Feldeinsatz.

Verfügbarkeit

Die TDAIO-TPH-ON-240W-RD Designdateien stehen aktuell hier zum Download bereit: https://www.transphormusa.com/en/reference-design/tdaio-tph-on-240w-rd/.

Über Transphorm

Transphorm, Inc., ein weltweit führender Anbieter der GaN-Revolution, stellt hochleistungsfähige und hochzuverlässige GaN-Halbleiter für Anwendungen im Bereich der Hochspannungsumwandlung her. Das Unternehmen verfügt über eines der größten Power GaN IP-Portfolios mit mehr als 1.000 eigenen oder lizenzierten Patenten und produziert die ersten JEDEC- und AEC-Q101-qualifizierten Hochspannungs-GaN-Halbleiterbauelemente der Branche. Das vertikal integrierte Geschäftsmodell des Unternehmens ermöglicht Innovationen in jeder Entwicklungsphase: Design, Herstellung, Gerät und Anwendungsunterstützung. Die Innovationen von Transphorm bringen die Leistungselektronik über die Grenzen von Silizium hinaus und ermöglichen einen Wirkungsgrad von über 99 %, 40 % mehr Leistungsdichte und 20 % niedrigere Systemkosten. Transphorm hat seine Zentrale in Goleta, Kalifornien und verfügt über Fertigungsstätten in Goleta und Aizu, Japan. Weitere Informationen finden Sie unter www.transphormusa.com. Folgen Sie uns auf Twitter @transphormusa und WeChat @ Transphorm_GaN.

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