Ihr Broker

  • DAX 0,70
  • EUR/USD 0,50
  • GOLD 0,30

Nur Spreads

Keine Kommission

Jetzt registrieren

CFDs sind komplexe Instrumente und umfassen aufgrund der Hebelfinanzierung ein hohes Risiko, schnell Geld zu verlieren.

AIXTRON SE, DE000A0WMPJ6

AIXTRON SE, DE000A0WMPJ6

15.09.2020 - 12:09:50

AIXTRON SE: Entscheidender Fortschritt bei Mehrfachsolarzellen gelungen / Rekord-Wirkungsgrad bei hocheffizienten III-V-Mehrfachsolarzellen auf Silizium / Hohe Energieeffizienz bei gleichzeitig attraktiven Kosten

Entscheidender Fortschritt bei Mehrfachsolarzellen gelungen

Rekord-Wirkungsgrad bei hocheffizienten III-V-Mehrfachsolarzellen auf Silizium / Hohe Energieeffizienz bei gleichzeitig attraktiven Kosten

Herzogenrath, 15. September 2020 - Eine zentrale Etappe bei der Entwicklung von wirtschaftlichen L?sungen f?r die industrielle Nutzung von Mehrfachsolarzellen f?r die Stromerzeugung ist geschafft. Erstmals ist bei einer direkt auf einem Siliziumsubstrat gewachsenen Mehrfachsolarzelle ein Wirkungsgrad von 25,9 Prozent erreicht worden.

Diesen Rekordwert haben die Forscher des Fraunhofer Institut f?r Solare Energiesysteme ISE in enger Zusammenarbeit mit der TU Ilmenau, der Philipps Universit?t Marburg und den Epitaxie-Experten der AIXTRON SE, einem f?hrenden Anbieter von Depositionsanlagen f?r die Halbleiterindustrie, im Rahmen des gef?rderten Projekts "MehrSi" erzielt. Im Team zusammen mit den Wissenschaftlern des Fraunhofer ISE gelang die Optimierung der Schichtstruktur und der Technologie.

Schl?sseltechnologie Tandem-Photovoltaik

"Erstmals konnten wir jetzt eine Tandem-Solarzelle auf Basis eines Silizium-Wafers mit einem so hohen Wirkungsgrad realisieren", sagt Dietmar Schmitz, Vice President Corporate Technology Transfer bei der AIXTRON SE. Bislang erfolgte die Herstellung der III-V-Mehrfachsolarzellen auf einem teureren Substratmaterial, zum Beispiel ebenfalls einem Verbindungshalbleiter-Material.

Dietmar Schmitz betont das Besondere an dieser Grundlagenforschung: "Die Gallium- und Phosphor-Atome m?ssen an der Grenzfl?che zum Silizium die korrekten Gitterpl?tze einnehmen. Um das zu erreichen, m?ssen wir die atomare Struktur sehr gut kontrollieren. Das setzt eine au?ergew?hnlich hohe Pr?zision voraus. Au?erdem ist f?r die notwendige hohe Qualit?t der Epi-Wafer entscheidend, dass eine hohe Kristallqualit?t aller Schichten beim epitaktischen Wachstum erreicht wird. Dies gelang in dem Projekt dank der von AIXTRON entwickelten verbesserten Anlagentechnologie und der guten Zusammenarbeit mit den Projektpartnern."

Niedriger Preis - Hohe Kostenattraktivit?t von Silizium-Wafer

Bei dieser sogenannten Tandem-Photovoltaik werden unterschiedliche Kombinationen leistungsstarker Solarzellenmaterialien in Schichten ?bereinander angeordnet, um so die verschiedenen Wellenl?ngen des Sonnenlichts bei der Umwandlung von Licht in elektrische Energie effizienter zu nutzen. Silizium eignet sich f?r die Absorption des infraroten Anteils des Spektrums des Sonnenlichts. Auf die Silizium-Grundlage werden dann wenige Mikrometer d?nne Schichten aus unterschiedlichen III-V-Halbleiterverbindungen aufgetragen, die das ultraviolette, sichtbare und nahe infrarote Licht effizienter in Strom wandeln. Die Tandem-Photovoltaik ist eine Schl?sseltechnologie f?r die Energiewende. Die auf einem Siliziumsubstrat gewachsenen Mehrfachsolarzellen sind aufgrund des verwendeten Siliziums kosteng?nstiger als Solarzellen auf Basis anderer Substrate.

Arbeiten am schnelleren Kristallwachstum zur weiteren Senkung der Herstellungskosten

Von der nun erreichten technologischen Grundlage aus arbeiten die Verbundpartner mit Hochdruck an der weiteren Steigerung der Effizienz und Reduzierung der Herstellungskosten. Daf?r soll die Abscheidung der Schichten noch schneller, mit h?herem Durchsatz und damit kostenoptimaler realisiert werden. Dar?ber hinaus soll die Effizienz der Solarzellen weiter verbessert werden. "Konkret soll die Versetzungsdichte in den III-V-Solarzellenschichten von 108 cm-2 in den Bereich von 1-5*106 cm-2 gesenkt werden, um die Wirkungsgrade auf mehr als 30 Prozent zu steigern. Und nicht zuletzt soll die Wirtschaftlichkeit der Epitaxie-Verfahren weiter optimiert werden", erl?utert Professor Dr. Michael Heuken, Vice President Corporate Research & Development der AIXTRON SE.

Durch kosteng?nstigere Verfahren im Zusammenspiel mit Silizium als unterster Teilzelle soll die Tandem-Technologie in Zukunft auch f?r die breite Photovoltaik zug?nglich gemacht werden. An solchen III-V-Mehrfachsolarzellen auf Silizium arbeitet AIXTRON mit einigen Verbundpartnern bereits seit mehreren Jahren.

Das Projekt "SiTaSol" zur gemeinsamen Entwicklung von m?glichst schnell und preisg?nstig herstellbaren Schichtpaketen wird von der EU gef?rdert. AIXTRON hat bei "SiTaSol" eine speziell optimierte Epitaxie-Anlage (Metal Organic Chemical Vapor Phase Epitaxy, kurz MOVPE) im eigenen Labor aufgebaut und getestet.

Weiter Informationen zum Thema Tandem-Photovoltaik unter www.ise.fraunhofer.de

Zum Herunterladen des Fotos (Mehrere III-V Tandemsolarzellen auf einem Silicium Substrat mit 10 cm Durchmesser. (c) Fraunhofer ISE /Foto: Markus Feifel) klicken Sie bittehier.

Das Projekt "SiTaSol" wird von der EU (F?rdernummer: 727497) und das Projekt "MehrSi" vom Bundesforschungsministerium BMBF (F?rdernummer: 03SF0525D) gef?rdert.

?

Ansprechpartner

Guido Pickert Leiter Investor Relations & Unternehmenskommunikation TELEFON +49 (2407) 9030-444 E-MAIL g.pickert@aixtron.com

?ber AIXTRON

Die AIXTRON SE ist ein f?hrender Anbieter von Depositionsanlagen f?r die Halbleiterindustrie. Das Unternehmen wurde 1983 gegr?ndet und hat seinen Sitz in Herzogenrath (St?dteregion Aachen) sowie Niederlassungen und Repr?sentanzen in Asien, den USA und Europa. Die Produkte der Gesellschaft werden weltweit von einem breiten Kundenkreis zur Herstellung von leistungsstarken Bauelementen f?r elektronische und opto-elektronische Anwendungen auf Basis von Verbindungs- oder organischen Halbleitermaterialien genutzt. Diese Bauelemente werden in einer Vielzahl innovativer Anwendungen, Technologien und Industrien eingesetzt. Dazu geh?ren beispielsweise LED- und Displaytechnologie, Daten?bertragung, SiC- und GaN Energiemanagement und -umwandlung, Kommunikation, Signal- und Lichttechnik sowie viele weitere anspruchsvolle High-Tech-Anwendungen. Unsere eingetragenen Warenzeichen: AIXACT(R), AIXTRON(R), APEVA(R), Atomic Level SolutionS(R), Close Coupled Showerhead(R), CRIUS(R), EXP(R), EPISON(R), Gas Foil Rotation(R), Optacap(TM), OVPD(R), Planetary Reactor(R), PVPD(R), STExS(R), TriJet(R)

Weitere Informationen ?ber AIXTRON (FWB: AIXA) sind im Internet unter www.aixtron.com verf?gbar.

?

Zukunftsgerichtete Aussagen

Dieses Dokument kann zukunftsgerichtete Aussagen ?ber das Gesch?ft, die Finanz- und Ertragslage und Gewinnprognosen von AIXTRON enthalten. Begriffe wie "k?nnen", "werden", "erwarten", "rechnen mit", "erw?gen", "beabsichtigen", "planen", "glauben", "fortdauern" und "sch?tzen", Abwandlungen solcher Begriffe oder ?hnliche Ausdr?cke kennzeichnen diese zukunftsgerichteten Aussagen. Solche zukunftsgerichtete Aussagen geben die gegenw?rtigen Beurteilungen, Erwartungen und Annahmen des AIXTRON Managements, von denen zahlreiche au?erhalb des AIXTRON Einflussbereiches liegen, wieder und gelten vorbehaltlich bestehender Risiken und Unsicherheiten. Sie sollten kein unangemessenes Vertrauen in die zukunftsgerichteten Aussagen setzen. Sollten sich Risiken oder Ungewissheiten realisieren oder sollten zugrunde liegende Erwartungen zuk?nftig nicht eintreten beziehungsweise es sich herausstellen, dass Annahmen nicht korrekt waren, so k?nnen die tats?chlichen Ergebnisse, Leistungen und Erfolge von AIXTRON wesentlich von denjenigen Ergebnissen abweichen, die ausdr?cklich oder implizit in der zukunftsgerichteten Aussage genannt worden sind.. Dies kann durch Faktoren verursacht werden, wie zum Beispiel die tats?chlich von AIXTRON erhaltenen Kundenauftr?ge, den Umfang der Marktnachfrage nach Depositionstechnologie, den Zeitpunkt der endg?ltigen Abnahme von Erzeugnissen durch die Kunden, das Finanzmarktklima und die Finanzierungsm?glichkeiten von AIXTRON, die allgemeinen Marktbedingungen f?r Depositionsanlagen, und das makro?konomische Umfeld, Stornierungen, ?nderungen oder Verz?gerungen bei Produktlieferungen, Beschr?nkungen der Produktionskapazit?t, lange Verkaufs- und Qualifizierungszyklen, Schwierigkeiten im Produktionsprozess, die allgemeine Entwicklung der Halbleiterindustrie, eine Versch?rfung des Wettbewerbs, Wechselkursschwankungen, die Verf?gbarkeit ?ffentlicher Mittel, Zinsschwankungen bzw. ?nderung verf?gbarer Zinskonditionen, Verz?gerungen bei der Entwicklung und Vermarktung neuer Produkte, eine Verschlechterung der allgemeinen Wirtschaftslage sowie durch alle anderen Faktoren, die AIXTRON in ?ffentlichen Berichten und Meldungen, insbesondere im Abschnitt Risiken des Jahresberichts, beschrieben hat. In dieser Mitteilung enthaltene zukunftsgerichtete Aussagen beruhen auf den gegenw?rtigen Einsch?tzungen und Prognosen des Vorstands basierend auf den zum Zeitpunkt dieser Mitteilung verf?gbaren Informationen. AIXTRON ?bernimmt keine Verpflichtung zur Aktualisierung oder ?berpr?fung zukunftsgerichteter Aussagen wegen neuer Informationen, k?nftiger Ereignisse oder aus sonstigen Gr?nden, soweit keine ausdr?ckliche rechtliche Verpflichtung besteht.

Dieses Dokument liegt ebenfalls in englischer ?bersetzung vor, bei Abweichungen geht die deutsche ma?gebliche Fassung des Dokuments der englischen ?bersetzung vor.

Ende der Pressemitteilung Emittent/Herausgeber: AIXTRON SE Schlagwort(e): Energie

15.09.2020 Ver?ffentlichung einer Pressemitteilung, ?bermittelt durch DGAP - ein Service der EQS Group AG. F?r den Inhalt der Mitteilung ist der Emittent / Herausgeber verantwortlich.Die DGAP Distributionsservices umfassen gesetzliche Meldepflichten, Corporate News/Finanznachrichten und Pressemitteilungen. Medienarchiv unter http://www.dgap.de

Sprache: Deutsch Unternehmen: AIXTRON SE Dornkaulstra?e 2 52134 Herzogenrath

Deutschland Telefon: +49 (2407) 9030-0 Fax: +49 (2407) 9030-445 E-Mail: invest@aixtron.com Internet: www.aixtron.com ISIN: DE000A0WMPJ6 WKN: A0WMPJ Indizes: MDAX, TecDAX B?rsen: Regulierter Markt in Frankfurt (Prime Standard); Freiverkehr in Berlin, D?sseldorf, Hamburg, Hannover, M?nchen, Stuttgart, Tradegate Exchange; Nasdaq OTC EQS News ID: 1131687 ? Ende der Mitteilung DGAP-Media

1131687??15.09.2020?

@ dgap.de