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AIXTRON SE, DE000A0WMPJ6

AIXTRON SE, DE000A0WMPJ6

04.09.2020 - 14:15:49

AIXTRON TEST !!! Siltronic f?hrt GaN-Wafer-Aktivit?ten mit AIXTRON-Anlage hoch

AIXTRON TEST !!! Siltronic f?hrt GaN-Wafer-Aktivit?ten mit AIXTRON-Anlage hoch

Bestellung einer vollautomatischen AIX G5+ C-Anlage zur Positionierung auf dem aufstrebenden Markt f?r Galliumnitrid-auf-Silizium-Materialanwendungen / H?chster Durchsatz mit exzellenter Gleichf?rmigkeit erm?glicht schnelles Hochfahren der Anlage

Herzogenrath, 25. August 2020 - Die Siltronic AG verst?rkt ihr Gesch?ft mit GaN-on-Si-Wafern mit einer AIX G5+ C-Anlage der AIXTRON SE (FSE: AIXA), einem weltweit f?hrenden Anbieter von Depositionsanlagen f?r die Halbleiterindustrie. Die AIX G5+ C-Anlage ist vollautomatisiert und mit einer In-situ-Reinigung und einem Kassette-zu-Kassette-Transfermodul ausgestattet, das beste Epitaxie-Stabilit?t und un?bertroffen niedrige Defektraten bietet. Der hochmoderne Planeten-Reaktor(R) verf?gt ?ber die Auto-Feed Forward (AFF) von AIXTRON individuelle On-Wafer-Temperaturregelung und eine 8x150-mm- und 5x200-mm-Konfiguration. Die Anlage wird im vierten Quartal dieses Jahres an den Kunden ausgeliefert.

Wafer-Ausr?stung f?r kommende Megatrends

Siltronic ist ein f?hrender Anbieter von Silizium-Wafern f?r die Halbleiterindustrie und wird den zus?tzlichen Epitaxie-Reaktor nutzen, um die Position auf dem aufstrebenden GaN-on-Si-Markt zu st?rken. Die AIX G5+ C wird von Siltronic f?r die Herstellung von 150 mm- und 200 mm-Galliumnitrid-auf-Silizium (GaN-on-Si)-Epi-Wafern f?r Radiofrequenz (RF)- und Leistungselektronikanwendungen eingesetzt.

RF, Leistungselektronikbauelemente und Schaltkreise erm?glichen hohe Schaltfrequenzen und ein effizientes Energiemanagement mit hohen Leistungsdichten. Diese Eigenschaften sind f?r schnell wachsende Anwendungen wie Serverfarmen, erneuerbare Energien und die n?chste Generation drahtloser Netzwerke (5G) erforderlich. Neben dem kleineren Formfaktor ist GaN-on-Si ein idealer Kandidat f?r Schnellladeger?te und die Elektrifizierung von Fahrzeugen.

Ausgew?hlt von den Besten der Branche

Dr. Christoph von Plotho, CEO der Siltronic AG, sagt: "Der GaN-on-Si-Markt ist ein wichtiges zuk?nftiges Wachstumsfeld. Im Rahmen des GaN-Power-Programms von imec, dem Forschungsinstitut f?r Nanoelektronik, waren wir schon fr?h sehr aktiv, um unseren Kunden Spitzenleistungen zu bieten. Um uns in diesem Markt wettbewerbsf?hig zu positionieren, ben?tigen wir eine Anlage, mit der wir unseren Kunden die Epi-Wafer mit der besten Leistung liefern und gleichzeitig das Volumen zu niedrigsten Kosten steigern k?nnen. Wir sehen die AIX G5+ C-Anlage in dieser Hinsicht als ideale L?sung sowohl f?r GaN Power- als auch f?r RF-Bauelemente, um die wachsenden Anwendungen und Megatrends zu bedienen. Der Einsatz der GaN-on-Si-Technologie leistet auch einen zentralen Beitrag zur Verbesserung der Energiebilanz durch Dekarbonisierung."

"Die GaN-on-Si-Technologie hat in den letzten Jahren einen beeindruckenden Durchbruch erzielt, und die Ger?te setzen sich sowohl in Verbraucher- als auch in Industrieprodukten f?r Leistungs- und RF-Anwendungen rasch durch. Die AIX G5+ C ist eine voll ausgereifte Plattform f?r diese fortschrittlichen Anwendungen, und es ist fantastisch, dass wir unsere Kunden bei der Erschlie?ung dieser neuen M?rkte begleiten k?nnen", sagt Dr. Felix Grawert, CEO von AIXTRON.

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Ansprechpartner

Guido Pickert Leiter Investor Relations & Unternehmenskommunikation TELEFON +49 (2407) 9030-444 E-MAIL g.pickert@aixtron.com

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?ber AIXTRON

Die AIXTRON SE ist ein f?hrender Anbieter von Depositionsanlagen f?r die Halbleiterindustrie. Das Unternehmen wurde 1983 gegr?ndet und hat seinen Sitz in Herzogenrath (St?dteregion Aachen) sowie Niederlassungen und Repr?sentanzen in Asien, den USA und Europa. Die Produkte der Gesellschaft werden weltweit von einem breiten Kundenkreis zur Herstellung von leistungsstarken Bauelementen f?r elektronische und opto-elektronische Anwendungen auf Basis von Verbindungs- oder organischen Halbleitermaterialien genutzt. Diese Bauelemente werden in einer Vielzahl innovativer Anwendungen, Technologien und Industrien eingesetzt. Dazu geh?ren beispielsweise LED- und Displaytechnologie, Daten?bertragung, SiC- und GaN Energiemanagement und -umwandlung, Kommunikation, Signal- und Lichttechnik sowie viele weitere anspruchsvolle High-Tech-Anwendungen. Unsere eingetragenen Warenzeichen: AIXACT(R), AIXTRON(R), APEVA(R), Atomic Level SolutionS(R), Close Coupled Showerhead(R), CRIUS(R), EXP(R), EPISON(R), Gas Foil Rotation(R), Optacap(TM), OVPD(R), Planetary Reactor(R), PVPD(R), STExS(R), TriJet(R)

Weitere Informationen ?ber AIXTRON (FWB: AIXA) sind im Internet unter www.aixtron.com verf?gbar.

?ber Siltronic Siltronic ist einer der weltweit gr??ten Hersteller von Wafern aus hochreinem Silizium und Partner vieler f?hrender Halbleiterunternehmen. Das Unternehmen betreibt Produktionsst?tten in Asien, Europa und den USA. Siltronic entwickelt und fertigt Siliziumwafer mit Durchmessern bis zu 300 mm. Siliziumscheiben bilden die Grundlage der modernen Mikro- und Nanoelektronik und sind eine Schl?sselkomponente in Halbleiterchips f?r Computer, Smartphones, Navigationssysteme und viele andere Anwendungen. Die Siltronic AG besch?ftigt rund 3.600 Mitarbeiter und ist ein b?rsennotiertes Unternehmen in Deutschland (Prime Standard). Die Siltronic-Aktie ist im MDAX und TecDAX vertreten.

Weitere Informationen ?ber Siltronic sind im Internet unter www.siltronic.com verf?gbar.

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Zukunftsgerichtete Aussagen

Dieses Dokument kann zukunftsgerichtete Aussagen ?ber das Gesch?ft, die Finanz- und Ertragslage und Gewinnprognosen von AIXTRON enthalten. Begriffe wie "k?nnen", "werden", "erwarten", "rechnen mit", "erw?gen", "beabsichtigen", "planen", "glauben", "fortdauern" und "sch?tzen", Abwandlungen solcher Begriffe oder ?hnliche Ausdr?cke kennzeichnen diese zukunftsgerichteten Aussagen. Solche zukunftsgerichtete Aussagen geben die gegenw?rtigen Beurteilungen, Erwartungen und Annahmen des AIXTRON Managements, von denen zahlreiche au?erhalb des AIXTRON Einflussbereiches liegen, wieder und gelten vorbehaltlich bestehender Risiken und Unsicherheiten. Sie sollten kein unangemessenes Vertrauen in die zukunftsgerichteten Aussagen setzen. Sollten sich Risiken oder Ungewissheiten realisieren oder sollten zugrunde liegende Erwartungen zuk?nftig nicht eintreten beziehungsweise es sich herausstellen, dass Annahmen nicht korrekt waren, so k?nnen die tats?chlichen Ergebnisse, Leistungen und Erfolge von AIXTRON wesentlich von denjenigen Ergebnissen abweichen, die ausdr?cklich oder implizit in der zukunftsgerichteten Aussage genannt worden sind.. Dies kann durch Faktoren verursacht werden, wie zum Beispiel die tats?chlich von AIXTRON erhaltenen Kundenauftr?ge, den Umfang der Marktnachfrage nach Depositionstechnologie, den Zeitpunkt der endg?ltigen Abnahme von Erzeugnissen durch die Kunden, das Finanzmarktklima und die Finanzierungsm?glichkeiten von AIXTRON, die allgemeinen Marktbedingungen f?r Depositionsanlagen, und das makro?konomische Umfeld, Stornierungen, ?nderungen oder Verz?gerungen bei Produktlieferungen, Beschr?nkungen der Produktionskapazit?t, lange Verkaufs- und Qualifizierungszyklen, Schwierigkeiten im Produktionsprozess, die allgemeine Entwicklung der Halbleiterindustrie, eine Versch?rfung des Wettbewerbs, Wechselkursschwankungen, die Verf?gbarkeit ?ffentlicher Mittel, Zinsschwankungen bzw. ?nderung verf?gbarer Zinskonditionen, Verz?gerungen bei der Entwicklung und Vermarktung neuer Produkte, eine Verschlechterung der allgemeinen Wirtschaftslage sowie durch alle anderen Faktoren, die AIXTRON in ?ffentlichen Berichten und Meldungen, insbesondere im Abschnitt Risiken des Jahresberichts, beschrieben hat. In dieser Mitteilung enthaltene zukunftsgerichtete Aussagen beruhen auf den gegenw?rtigen Einsch?tzungen und Prognosen des Vorstands basierend auf den zum Zeitpunkt dieser Mitteilung verf?gbaren Informationen. AIXTRON ?bernimmt keine Verpflichtung zur Aktualisierung oder ?berpr?fung zukunftsgerichteter Aussagen wegen neuer Informationen, k?nftiger Ereignisse oder aus sonstigen Gr?nden, soweit keine ausdr?ckliche rechtliche Verpflichtung besteht.

Dieses Dokument liegt ebenfalls in englischer ?bersetzung vor, bei Abweichungen geht die deutsche ma?gebliche Fassung des Dokuments der englischen ?bersetzung vor.

Ende der Pressemitteilung Emittent/Herausgeber: AIXTRON SE Schlagwort(e): Unternehmen

04.09.2020 Ver?ffentlichung einer Pressemitteilung, ?bermittelt durch DGAP - ein Service der EQS Group AG. F?r den Inhalt der Mitteilung ist der Emittent / Herausgeber verantwortlich.Die DGAP Distributionsservices umfassen gesetzliche Meldepflichten, Corporate News/Finanznachrichten und Pressemitteilungen. Medienarchiv unter http://www.dgap.de

Sprache: Deutsch Unternehmen: AIXTRON SE Dornkaulstra?e 2 52134 Herzogenrath

Deutschland Telefon: +49 (2407) 9030-0 Fax: +49 (2407) 9030-445 E-Mail: invest@aixtron.com Internet: www.aixtron.com ISIN: DE000A0WMPJ6 WKN: A0WMPJ Indizes: MDAX, TecDAX B?rsen: Regulierter Markt in Frankfurt (Prime Standard); Freiverkehr in Berlin, D?sseldorf, Hamburg, Hannover, M?nchen, Stuttgart, Tradegate Exchange; Nasdaq OTC EQS News ID: 1127695 ? Ende der Mitteilung DGAP-Media

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